第86章 硅电晶体实验成功！（2/2）

“巧了，我们也是这么想的。”

他说完后。

便立刻转过身，让人照做。

瞩附完后，又回来和江阳继续討论。

硅电晶体製造的流程很长。

从单晶切割、机械拋光、化学清洗。

到干氧氧化、光刻与图形化，掺杂pn结。

每个步骤。

都要上数个小时的功夫。

而且整个过程。

並不是一帆风顺。

比如掺杂pn结时，没有离子注入机，开关扩散掺杂浓度波动有土30%。

这个数字，显然是不能接受的。

因此必须通过经验修正。

当然，江阳他们现在没有经验，所以足足失败了好几次。

才勉强得到一个理想的数据，继续进行试验。

不过这时候。

一天的时间，也就这么过去了。

接下来。

半导体研究室，就是不断地重复实验。

在三天后。

吸取数次失败的经验教训，眾人终於做出成果。

实验室內。

王寿吾眼角带笑，正想跟宣布这个好消息。

忽然看到坐在边上喝茶的江阳。

他走上前，道：

“江教授，要不您来说罢。”

说著。

王寿吾將手中的实验结果报告，递了出去。

虽说江阳一直是技术总顾问的身份参与研究。

但在他的心中。

就是硅电晶体研究的技术负责人。

江阳看著报告，道：

“其实还是有很多不足的。”

“在实验过程中。”

“出现了光刻图形失真、扩散结深失控和金属电极失效等问题—.—”

隨著江阳的分析。

实验室內的眾人，当即收拢喜色，开始认真记录。

即便是年纪四五十岁的老教授，都拿著纸笔记个不停。

偶尔还不举手示意提问，丝毫不在意江阳的年纪比他们小。

这时。

江阳在小黑板上写下一道公式，道：

“为了规避温度波动导致寄去过扩散，β值过低的情况。”

“我们可以考虑採用沉积+推进两步扩散法。”

“根据结深公式：j=d(t)·t，多次实验后校准扩散係数。”

他说完后。

过了许久。

眾人才抬起头。

他们看向江阳，感慨道：

“不愧是江教授，已经准备好解决办法了！”

“有了这些方法，我们很快就能做出更好的硅电晶体！”

“那是当然的，这么好的条件，加上江教授的指导，不成功才奇怪！”

听著他们的话。

江阳微微笑了笑，没有反驳。

他每次都能拿出解决方案。

虽说內容已经提前加了不少错误的思路。

但影响其实並不大。

不被发现问题，是不可能的。

好在他“理论天才”的名头，现在人尽皆知，也不至於被怀疑。

就在江阳出神时。

王寿吾似是想起了什么，对他道：

“对了，江教授。”

“今天早上，郭院长给我打了个电话。”

“他说让您去一趟华科院。”

江阳点了点头，道：

“好，那我顺带把消息送去华科院。』

他说完后。

便准备离开。

王寿吾连忙道：

“还有一件事。”

“后面的实验问题不大，可以交给我们。”

“您已经连续工作半个月，需要好好休息几天了。”